Al aplicar un voltaje al diodo de unión p-n se origina una corriente asociada que circula a través del dispositivo electrónico (no es optoelectrónico ante la falta de luz incidente). En la siguiente figura se ve que el terminal

positivo

de la fuente de voltaje se conecta al lado del semiconductor con conductividad eléctrica tipo p_CIT, lo que he denominado "conexión directa".

Cuando el voltaje va en aumento la corriente aumenta levemente hasta aproximadamente 0,2 a 0,3 V, y luego se incrementa bruscamente a partir del voltaje umbral en ± 0,4 V. En voltajes negativos, la corriente casi es constante (con valores negativos).

En la figura represento el diodo de unión p-n sin polarización (no hay potencial eléctrico inyectado al dispositivo). En esta configuración el semiconductor tipo p se asigna como el ánodo, mientras que el semiconductor tipo n se denomina cátodo. En la región de la unión p-n se origina una zona de carga espacial (indicada con color gris).

Cuando aplico un voltaje con conexión directa se reduce la zona de carga espacial, se inyecta una energía adicional sobre los portadores de carga mayoritarios (huecos y electrones) en los semiconductores tipo p y tipo n, activando los mecanismos de conducción eléctrica que permiten el mayor flujo de cargas eléctricas a través de la unión p-n, tal como se observó en la tabla y figura mostrada anteriormente.

Al aplicar una diferencia de potencial en un diodo de unión p-n no polarizado (sin voltaje) va a circular una corriente eléctrica a través del dispositivo en respuesta (proporcional) al voltaje aplicado y su representación gráfica ya la mostré arriba. ¿Qué sucedería cuando invertimos las conexiones de las terminales de la fuente de voltaje?

Corriente con conexión inversa

El diodo de unión p-n es un dispositivo electrónico que ante la ausencia de luz incidente puede darnos información sobre la naturaleza de la unión de semiconductores tipo p y tipo n. El análisis de la curva característica de Corriente-Voltaje puede indicar un comportamiento lineal (para unos contactos óhmicos) o una dependencia exponencial (no lineal, para un contacto rectificador), siendo este último lo esperado para una unión de semiconductores p-n.